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8英寸SiC投产进展加速2025年上量

时间: 2024-08-16 06:11:21 作者: 石墨切割机

  8英寸SiC自2022年Wolfspeed宣布启用在纽约州莫霍克谷的全球首座8英寸SiC晶圆厂后,2年时间里,几乎都只有Wolfspeed实现了8英寸SiC晶圆的规模量产。

  等工序,都需要对产线做改造,或是新建适用8英寸晶圆的产线。而产业链上下游有一部分出现了节奏跟不上,就会对整体产品的落地进展造成影响。不过今年以来,8英寸SiC产能落地速度正在加快。包括在衬底方面,天岳先进在4月举行的2023年年度业绩说明会上透露,

  8英寸SiC衬底产品实现了批量化销售;另外,根据目前公开信息,烁科晶体、晶盛机电、天科合达、同光股份等也已经实现了8英寸SiC衬底小批量生产。8英寸外延片方面,天域半导体、瀚天天成、百识电子都已经具备8英寸SiC外延片的供应能力。

  晶圆制造产线需要配合上游衬底的量产节点来推进。而当前8英寸SiC衬底和外延片慢慢的开始出货后,自然晶圆制造端的产能也开始逐渐加速落地。

  上也表示,目前多家主流的衬底和外延供应商已完成了8英寸SiC的研发和试量产,三安在长沙拥有一条从粉料到长晶-衬底-外延-芯片-封测的SiC全产业链产线,今年将实现通线月表示,正在积极扩产并计划将中晶芯源项目打造成为全国最大的8英寸SiC衬底生产基地,预计在2025年实现满产达产。就在6月18日,士兰微旗下士兰集宏半导体的8英寸SiC功率器件

  生产线项目也正式开工,该产线将以SiC MOSFET为基本的产品,计划投资120亿元,总产能规模达到6万片/月,预计在2025年三季度末实现初步通线。

  比亚迪品牌及公关处总经理李云飞在6月还透露,比亚迪新建碳化硅工厂将成为行业最大的工厂,该工厂将会在今年下半年投产,产能规模全球第一,是第二名的十倍。

  而作为最早量产8英寸SiC衬底和晶圆的Wolfspeed,最近也公布了自己的新进展。Wolfspeed在官方渠道上宣布莫霍克谷碳化硅芯片工厂已经实现了 20% 晶圆启动利用率,同时公司的Building 10SiC材料工厂已经达成其200mm SiC衬底产能,将能支持莫霍克谷工厂在 2024自然年底实现约25%晶圆启动利用率。这也代表着目前Wolfspeed的SiC晶圆厂产能限制一部分是来自衬底供应,Wolfspeed 计划在8月份公布2024财年第四季度业绩期间,向市场更新莫霍克谷工厂的下一个利用率里程碑。

  SiC最大的应用市场毫无疑问是电动汽车,为了更快的充电速度、更强的驱动性能、更低的能耗,电动汽车的母线V发展,SiC器件在汽车800V平台中起到了关键作用。不过除了汽车之外,在SiC厂商的推动下,SiC器件也在持续拓展更多新的应用。比如在光储系统中,系统电压呈现持续升高的态势,从600V到1000V,再到目前常见的1500V,光储系统基本已经实现了从1000V到1500V的切换。这种变化,带来的是降低整体系统成本,储能系统初始投资所需成本能够更好的降低10%以上。

  在2024年的初月,推出了一系列新款2000V碳化硅MOSFET产品,型号定为IMYH200R。这些元件使用先进的TO-247PLUS-4-HCC封装,具备多种

  ,包括12mΩ、24mΩ、50mΩ、75mΩ、100mΩ等。在严格的高压和频繁开关应用环境下,它们展现出卓越的功率密度,同时确保系统的稳定性不受影响。这一些器件完美适配高达1500V直流电压的母线系统,如组串式

  、光伏储能设备和充电桩等,有效提升整体能效。英飞凌宣表示这是业内首次推出的能承受2000V阻断电压的独立式SiC MOSFET产品。与1700V的同种类型的产品相比,2000V SiC MOSFET在处理1500V直流系统过压情况时,提供了更大的安全边际。以IMYH200R012M1H为例,该型号能在-55℃至178℃的温度范围内稳定工作,在25℃时能承载高达123A的电流,最大总功率损耗为552W,导通电阻仅为12mΩ,并且具有极低的开关损耗。

  国内厂商方面,泰科天润在去年的慕尼黑上海电子展上展出了2000V系列的SiC MOSFET单管产品,适用于1500V光伏系统,但未有详细的参数公布。

  基本半导体在去年10月发布了第二代SiC MOSFET平台,并表示将推出2000V 24mΩ规格的SiC MOSFET系列新产品,并开发了2000V 40A规格的SiC SBD进行配套使用,不过目前还未有相关器件的详情信息公布。这些创新产品的问世,预示着光伏储能行业正迈向更高电压和更高效率的新纪元。2000V SiC MOSFET的推出,不仅有助于减少系统损耗,提高功率密度,还能在基本的建设、设备运输和运维成本方面带来显著节约。随技术进步和市场需求的一直增长,预计未来会有更多2000V SiC MOSFET产品投入市场,进一步促进高压光伏储能系统的发展。

  中,服务器电源就已经有一些采用SiC MOSFET的方案出现。而8英寸SiC的产能逐步落地,将会促进加速SiC的降本节奏,也同时将SiC的市场进一步做大。声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。举报投诉功率器件功率器件+关注关注41

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